2SK3592-01L

更新时间： 2024-02-04 23:41:04

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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4页	255K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3592-01L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	272.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	57 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3592-01L 数据手册

2SK3592-01L,S,SJ

FUJI POWER MOSFET

Characteristics

Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch

E_AS=f(starting Tch):Vcc=48V

Allowable Power Dissipation

PD=f(Tc)

300

1000

800

600

400

200

250

200

150

100

I_AS=23A

I_AS=35A

I_AS=57A

100

125

150

100

125

150

starting Tch [°C]

Tc [°C]

Typical Transfer Characteristic

Typical Output Characteristics

ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C

ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C

160

120

20V

100

10V

7.5V

7.0V

6.5V

6.0V

0.1

VGS=5.5V

VDS [V]

VGS[V]

Typical Transconductance

Typical Drain-Source on-state Resistance

gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C

RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C

100

0.15

0.12

0.09

0.06

0.03

0.00

VGS=

5.5V

6.0V

6.5V

7.0V

7.5V

10V

20V

0.1

100

120

160

ID [A]

123 4

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