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2SK3591

更新时间： 2022-11-24 21:53:23

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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3591 数据手册

2SK3591-01MR

FUJI POWER MOSFET

Gate Threshold Voltage vs. Tch

Drain-Source On-state Resistance

VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA

RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

max.

min.

max.

typ.

-50

-25

100 125 150

-50

-25

100 125 150

Tch [°C]

Typical Capacitance

C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz

Typical Gate Charge Characteristics

VGS=f(Qg):ID=40A, Tch=25°C

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

Ciss

Vcc= 75V

Coss

Crss

10^-1

10⁰

10¹

10²

Qg [nC]

VDS [V]

Typical Switching Characteristics vs. ID

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C

t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω

10³

10²

10¹

10⁰

100

td(off)

td(on)

0.1

10^-1

10⁰

10¹

10²

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00

VSD [V]

ID [A]

1 234

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