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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3021TP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251VAR |
|
| 2SK3021TP-FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SK3022 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| 2SK3022 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOSFET |
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| 2SK3022 | TYSEMI |
获取价格 |
Avalanche energy capacity guaranteed High-speed switching Low ON-resistance |
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| 2SK3022(TENTATIVE) | ETC |
获取价格 |
2SK3022 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK3023 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK3023(TENTATIVE) | ETC |
获取价格 |
2SK3023 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK3024 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK3024 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon N-Channel Power F-MOSFET |
|
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