2SK3025

更新时间： 2024-02-08 17:33:54

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关
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描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3025 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3025 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK3025 (Tentative)

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed

● High-speed switching

● Low ON-resistance

unit: mm

● No secondary breakdown

● Low-voltage drive

● High electrostatic breakdown voltage

6.5±0.1

5.3±0.1

4.35±0.1

2.3±0.1

0.5±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

1.0±0.1

0.1±0.05

0.93±0.1

0.5±0.1

● Switching power supply

0.75±0.1

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

2.3±0.1

4.6±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±20

1: Gate

2: Drain

3: Source

±30

Drain current

I_DP

±60

U Type Package

EAS^*

Internal Connection

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 0.1mH, I_L= 30A, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

I_DSS

V_DS= 50V, V_GS= 0

V_GS= ±20V, V_DS= 0

_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 10V, I_D= 1mA

R_DS(on)1V_GS= 10V, I_D= 15A

I_GSS

±10

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

Gate threshold voltage

V_th

2.5

mΩ

Drain to Source ON-resistance

R_DS(on)2

| Y_fs|

V_GS= 4V, I_D= 15A

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

V_DS= 10V, I_D= 15A

I_DR= 15A, V_GS= 0

V_DSF

−1.5

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

1200

400

200

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

V_DD= 30V, I_D= 15A

Fall time

t_f

V_GS= 10V, R_L= 2Ω

140

350

Turn-off time (delay time)

Thermal resistance between channel and case

Thermal resistance between channel and atmosphere

t_d(off)

R_th(ch-c)

R_th(ch-a)

6.25

125

°C/W

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