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2SK3022

更新时间： 2024-01-31 10:09:54

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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1页	47K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOSFET

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2SK3022 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3022 数据手册

SMD Type

MOSFICET

Silicon N-Channel Power F-MOSFET

2SK3022

Features

TO-252

Avalanche energy capacity guaranteed

High-speed switching

Unit: mm

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Low ON-resistance

No secondary breakdown

Low-voltage drive

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

High electrostatic breakdown voltage

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

Power dissipation

TC=25

T^A=25

P^D

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

ID=1mA,VGS=0

Min

Typ

Max

Unit

Drain to source breakdown voltage

Drain cut-off current

V^DSS

IDSS

I^GSS

V^th

VDS=40V,VGS=0

VGS= 20V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=3A

V^GS=10V,ID=3A

VGS=4V,ID=3A

Gate leakage current

Gate threshold voltage

Forward transfer admittance

2.5

Yfs

135

200

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)

130

220

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

t^r

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

I^D=3A,VGS(on)=10V,RL=10 ,VDD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

170

550

www.kexin.com.cn

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