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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2932-E
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2SK2932-E

更新时间： 2024-11-24 06:25:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2932-E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2932-E 数据手册

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2SK2932  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1046-0400  
(Previous: ADE-208-555B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Features  
•
Low on-resistance  
RDS =0.055 Ω typ.  
•
•
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A  
(Package name: TO-220C•FM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  
12345678

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