2SK2935

更新时间： 2024-11-23 22:52:55

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2935 数据手册

2SK2935

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-558B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS=0.020 Ω typ.

•

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

TO–220CFM

1. Gate

2. Drain

3. Source

12 3 4 5 6 7...10

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