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2SK2935

更新时间: 2024-11-24 06:15:55
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页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2935 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:TO-220CF
包装说明:TO-220CFM, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.05 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SK2935 数据手册

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2SK2935  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1049-0400  
(Previous: ADE-208-588B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS =0.020 typ.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A  
(Package name: TO-220CFM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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