是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | TO-220CF |
包装说明: | TO-220CFM, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 35 A | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK2935 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2935-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2936 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2936 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2936-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2937 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2937 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2937-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2938 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK2938 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET, High Speed Power Switching | |
2SK2938(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262AA |