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2SK2936

更新时间: 2024-11-23 22:52:55
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
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10页 53K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2936 数据手册

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2SK2936  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-559B (Z)  
3rd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS =0.010 typ.  
High speed switching  
4V gate drive device can be driven from 5V source  
Outline  
TO–220CFM  
D
G
1
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
S

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