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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2939L | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2939L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2939S | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2939S-E | RENESAS |
获取价格 |
35A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2939STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK294 | HITACHI |
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SILICON N CHANNEL MOSFET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK2940 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2940 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2940(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK2940(L)|2SK2940(S) | ETC |
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