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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2934-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2935 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2935 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2935-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2936 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2936 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2936-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2937 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2937 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2937-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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