2SK2751

更新时间： 2024-11-24 04:26:27

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描述
N-CHANNEL JUNCTION FET

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2SK2751 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK2751 数据手册

UTC 2SK2751

N-CHANNEL JFET

N-CHANNEL JUNCTION FET

FEATURES

*Low noise-figure (NF).

*High gate to drain voltage V_GDO

APPLICATIONS

*For impedance conversion in low frequency.

*For pyroelectric sensor.

MARKING SYMBOL

SOT-23

1: DRAIN

2: SOURCE

3: GATE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

PARAMETER

SYMBOL

V_GDS

I_D

RATINGS

UNIT

Gate to Drain voltage

-40

℃

Drain current

Gate current

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

200

I_G

P_D

T_ch

T_stg

150

℃

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^{(Ta=25±3℃, unless otherwise specified)}

PARAMETER

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

SYMBOL

I_DSS

TEST CONDITIONS

MIN

1.4

TYP

MAX UNIT

VDS=10V, VGS=0

VGS=-20V, VDS=0

I^G=-100μA, VDS=0

VDS=10V, ID=1μA

4.7

-1

I_GSS

V_GDS

V_GSC

| Y_fs|

C_iss

-40

2.5

Gate to Source cut-off voltage

Forward transfer admittance

Input capacitance (Common Source)

Output capacitance (Common Source)

Reverse transfer capacitance

(Common Source)

-3.5

VDS=10V, VGS=0, f=1kHz

C_oss

V^DS=10V, VGS=0, f=1MHz

C_rss

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R206-067,B

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