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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | CASCODE MOS | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.05 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK241TPE4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK241Y | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92VAR |
|
| 2SK241-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK241-YTPE4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK242 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency, General-Purpose Amp Applications |
|
| 2SK2420 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SK2420_05 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SK2421 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
| 2SK2422 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK242-2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | SOT-23 |
|
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