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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220CFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2426 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2426 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2426-E | RENESAS |
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12A, 250V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220CFM, 3 PIN |
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| 2SK2427 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
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| 2SK2428 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
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| 2SK2428C7 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2SK2429 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | SIP |
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| 2SK2429T105 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2SK2430 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK2430F5 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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