5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2430TL | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2430TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2431 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2432 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 35A I(D) |
|
| 2SK2433 | SANYO |
获取价格 |
2SK2433 |
|
| 2SK2434 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK2435 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) |
|
| 2SK2436 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) |
|
| 2SK2437 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-89 |
|
| 2SK2438 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
