生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.31 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1622(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2SK1622(S)TL | RENESAS |
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25A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK1622(S)TR | RENESAS |
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25A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK1622L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1622S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1623 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1623 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1623(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA | |
2SK1623(L)|2SK1623(S) | ETC |
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2SK1623(S) | RENESAS |
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0.12ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |