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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PL |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1521 | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1521 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1522 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1522 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK152-2 | SONY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK1522-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1523 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK152-3 | SONY |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK1524 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK1525 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK1526 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1526 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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