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2SK1521-E

更新时间: 2024-09-25 06:25:39
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1521-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PL
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.36
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1521-E 数据手册

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2SK1521, 2SK1522  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0949-0200  
(Previous: ADE-208-1289)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns)  
Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A  
(Package name: TO-3PL)  
D
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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