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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1528S-E | RENESAS |
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4A, 900V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
|
| 2SK1528STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1528STR-E | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 900V 4A 4000mohm LDPAK(S)-(1)/TO-263 |
|
| 2SK1529 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK1529_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK1529_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Power Amplifier Application |
|
| 2SK1529O | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK1529Y | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1529-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SK1530 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
|
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