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2SK1537

更新时间: 2024-11-12 21:55:35
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
HVX Series Power MOSFET

2SK1537 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W最大功率耗散 (Abs):100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):290 ns最大开启时间(吨):130 ns
Base Number Matches:1

2SK1537 数据手册

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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal