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| 新电元 - SHINDENGEN |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 151K |  |
| 描述 | ||
| HVX Series Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 580 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 230 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1540 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1540 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1540(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK1540(L)(S)|2SK1541(L)(S) | ETC |
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| 2SK1540(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK1540(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1540(S)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,7A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1540(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1540(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
7A, 450V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1540(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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