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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PL |
| 包装说明： | TO-3PL, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1527 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1527 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1527-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1528 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1528 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1528(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
|
| 2SK1528(S) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1528(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK1528(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
4A, 900V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1528(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
4A, 900V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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