5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 100 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1522-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1523 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK152-3 | SONY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK1524 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK1525 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK1526 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1526 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1526|2SK1527 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK1526-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1527 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
