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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1335L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1335S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1336 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1336 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1336-E | RENESAS |
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300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92, 3 PIN |
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| 2SK1336RF | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1336RF | RENESAS |
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0.3A, 60V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92 |
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| 2SK1336RR | RENESAS |
获取价格 |
0.3A, 60V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92 |
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| 2SK1336RR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1336TL | ETC |
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TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237 |
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