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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | POMM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1273-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 |
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| 2SK1273-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox |
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| 2SK1273-T1-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 |
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| 2SK1273-T2 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 |
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| 2SK1274 | NEC | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK1274-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,1.5A I(D),SIP |
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