是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MM |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.1 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1134 | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | |
2SK1135 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247VAR | |
2SK113O | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25MA I(DSS) | TO-18 | |
2SK113R | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-18 | |
2SK113Y | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50MA I(DSS) | TO-18 | |
2SK1151 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1151 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1151(L) | HITACHI |
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暂无描述 | |
2SK1151(L)(S)|2SK1152(L)(S) | ETC |
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2SK1151(S) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |