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Datasheet > 2SK1109-T2B-A

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2SK1109-T2B-A

更新时间： 2024-02-20 10:35:53

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
10页	173K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,40A I(DSS),SC-59

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2SK1109-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	125 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.08 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK1109-T2B-A 数据手册

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2SK1109

[MEMO]

5

Data Sheet D15940EJ1V0DS

1...4 5 678 9 10

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与2SK1109-T2B-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1112	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SK1112LBTE16L	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose	获取价格
2SK1112STA1	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERMOLD, DPAK-3, FET Gener	获取价格
2SK1112TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SK1113	TOSHIBA	2SK1113	获取价格
2SK1113TE16L	TOSHIBA	TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格

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