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2SK1109-T2B-A

更新时间： 2024-02-24 20:47:17

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瑞萨 - RENESAS		/
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10页	173K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,40A I(DSS),SC-59

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2SK1109-T2B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	125 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.08 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SK1109-T2B-A 数据手册

2SK1109

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

CHARACTERISTICS

Zero Gate Voltage Drain Cut-off Current

Gate Cut-off Voltage

SYMBOL

I^DSS

TEST CONDITIONS

V^DS= 5.0 V, V^GS= 0 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

600

µA

V^GS(off)

| y^fs1|

| y^fs2|

C^iss

V^DS= 5.0 V, I^D= 1.0 µA

−0.1

350

−1.0

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

V^DS= 5.0 V, I^D= 30 µA, f = 1.0 kHz

V^DS= 5.0 V, V^GS= 0 V, f = 1.0 kHz

V^DS= 5.0 V, V^GS= 0 V, f = 1.0 MHz

See Test Circuit

µS

µV

7.0

1.8

8.0

3.0

Noise Voltage

I^DSSRANK

MARKING

J32

J33

J34

J35

J36

J37

I^DSS

40 to 70

60 to 110

90 to 180

150 to 300

200 to 450

300 to 600

(µA)

NOISE VOLTAGE TEST CIRCUIT

+4.5 V

JIS A

NV (r.m.s)

R = 1 kΩ

C = 10 pF

Data Sheet D15940EJ1V0DS

1 2 345 6 7...10

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