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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.08 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1112 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1112LBTE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose |
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| 2SK1112STA1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERMOLD, DPAK-3, FET Gener |
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| 2SK1112TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1113 | TOSHIBA |
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2SK1113 |
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| 2SK1113TE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1113TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1114 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1115 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1116 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 25 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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