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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 120 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1056-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1056 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1056/1057/1058 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1056|2SK1057|2SK1058 | ETC |
获取价格 |
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| 2SK1056-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1057 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1057 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1057-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1058 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1058 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1058-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1059 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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