5秒后页面跳转
2SK1029 PDF预览

2SK1029

更新时间: 2024-11-26 19:44:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 43K
描述
TRANSISTOR 10 A, 500 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SK1029 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:200 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1029 数据手册

 浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1029的Datasheet PDF文件第7页 
TOSHIBA  
TOSHIBA  
POWER MOSFETs  
1Q, 1999  
Alphanumerically  

与2SK1029相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1030 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186
2SK1030A ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220
2SK1031 ETC

获取价格

2SK1031-B HITACHI

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK1031-D HITACHI

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK1032 PANASONIC

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2SK1032A ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR
2SK1033 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-186
2SK1034 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220
2SK1035 PANASONIC

获取价格

SILICON N CHANNEL POWER F MOSFET