是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1030A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
获取价格 |
|
2SK1031 | ETC |
获取价格 |
||
2SK1031-B | HITACHI | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
获取价格 |
|
2SK1031-D | HITACHI | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
获取价格 |
|
2SK1032 | PANASONIC | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
获取价格 |
|
2SK1032A | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
获取价格 |