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2SK1032

更新时间: 2024-11-26 21:09:51
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1032 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2SK1032 数据手册

  

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