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2SJ635

更新时间： 2024-02-16 08:14:42

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三洋 - SANYO		晶体开关晶体管通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	39K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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2SJ635 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.34	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1.2 A	最大漏源导通电阻：	0.092 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ635 数据手册

2SJ635

-- V

D GS

--12

--10

--8

--16

--14

--12

--10

--8

V = --10V

--6

--4

--2

= --2.5V

--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0

--1

--2

--3

--4

--5

IT09426

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

IT09425

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

(on) -- V

(on) -- Tc

140

120

100

140

120

100

Tc=25°C

I = --6

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--60 --40 --20

80 100 120 140 160

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

IT09427

Case Temperature, Tc -- °C

IT09428

yfs -- I

-- V

S SD

=0V

= --10V

--10

--1.0

--0.1

1.0

--0.1

--0.01

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.0

--10

IT09429

Drain Current, I -- A

Diode Forward Voltage, V

-- V

IT09430

Ciss, Coss, Crss -- V

SW Time -- I

= --30V

= --10V

f=1MHz

Ciss

100

1000

Coss

t (on)

--0.1

100

--10

--20

--30

--40

--50

--60

IT09432

--1.0

--10

Drain Current, I -- A

IT09431

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

No.8277-3/4

1 234

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