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2SJ484WYTL-E

更新时间： 2024-02-27 03:17:16

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	79K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ484WYTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	UPAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ484WYTL-E 数据手册

2SJ484

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

Unit

–30

±20

–2

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–4

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

–2

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 100 µs, duty cycle ≤ 10%

2. When using the aluminium ceramic board (12.5 × 20 × 0.7 mm)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_DSS

Min

–30

±20

—

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_DS= –30 V, V_GS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –1 A, V_GS= –10 V ^{Note 3}

I_D= –1 A, V_GS= –4 V ^{Note 3}

I_D= –1 A, V_DS= –10 V ^{Note 3}

V_DS= –10 V

—

–10

±10

–2.0

0.23

0.45

—

µA

I_GSS

—

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–1.0

—

0.18

0.3

2.0

230

140

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

1.2

—

Ciss

—

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

V_GS= –10 V

I_D= –1 A

Rise time

—

R_L= 30 Ω

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

–0.95

—

I_F= –2 A, V_GS= 0

di_F/dt = 50 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 2 of 6

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ484WYTR	RENESAS	2A, 30V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ484WYTR	HITACHI	2A, 30V, 0.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ484WYTR-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ484WYUL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ484WYUR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ485	SANYO	Ultrahigh-Speed Switching Applications	获取价格

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