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2SJ484WYTL-E

更新时间： 2024-01-13 11:47:48

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	79K
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ484WYTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	UPAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ484WYTL-E 数据手册

2SJ484

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

0.5

Pulse Test

0.4

0.3

0.2

0.1

Tc = –25°C

I_D= –2 A

25°C

0.5

V_GS= –10 V

75°C

–0.5 A, –1.0 A

0.2

0.1

V_DS= –10 V

Pulse Test

0.05

–40

120

160

–0.01 –0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

500

1000

500

200

100

Ciss

200

100

Coss

Crss

di / dt = 50 A / µs

_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

–0.1 –0.2 –0.5 –1

–2 –5 –10

–10

–20

–30

–40

–50

Reverse Drain Current I_DR(A)

Dynamic Input Characteristics

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

–10

–20

–30

–40

–50

500

V_DD= –5 V

I_D= –2 A

V_GS= –10 V, V_DD= –10 V

duty ≤ 1 %

–10 V

–25 V

200

100

–4

–8

V_DD= –5 V

–10 V

–25 V

V_DS

d(off)

–12

–16

–20

V_GS

d(on)

–0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–5 –10

Gate Charge Qg (nc)

Drain Current I_D(A)

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 4 of 6

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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