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2SJ484WYTL-E

更新时间： 2024-02-11 00:32:31

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	79K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ484WYTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	UPAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ484WYTL-E 数据手册

2SJ484

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–10

2.0

1.5

1.0

0.5

Test Condition:

100 µs

When using the aluminum ceramic

board (12.5 × 20 × 70 mm)

–3

–1

–0.3

–0.1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.03

–0.01

Ta = 25°C

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

100

150

200

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

–6 V

–10 V

–5

–4

–3

–2

–1

–5

–4

–3

–2

–1

–4 V

Pulse Test

V_DS= –10 V

Pulse Test

–5 V

–4.5 V

–3.5 V

–3 V

25°C

V_GS= –2.5 V

Tc = 75°C

–25°C

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–1.0

Pulse Test

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

0.5

V_GS= –4 V

I_D= –2 A

–10 V

0.2

–1 A

–0.5 A

0.1

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20

–4

–8

–12

–16

–20

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SJ484WYTR-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ484WYUL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ484WYUR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ485	SANYO	Ultrahigh-Speed Switching Applications	获取价格