2SJ479

更新时间： 2024-02-26 19:54:44

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	41K
描述
Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ479 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ479 数据手册

2SJ479(L), 2SJ479(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximun Safe Operation Area

–500

100

–200

–100

10 µs

–50

–20

–10

–5

Operation in

this area is

limited by R

–2

–1

DS(on)

Ta = 25 °C

–0.5

–3

–30

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–10

–100

Drain to Source Voltage V

(V)

Case Temperature Tc (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

ch – c(t) = s (t) • ch – c

ch – c = 2.5 °C/W, Tc = 25 °C

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

Pulse Width PW (S)

100 m

1 2 345 6 7

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