2SJ479(L)

更新时间： 2024-02-17 18:12:34

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	41K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ479(L) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ479(L) 数据手册

2SJ479(L), 2SJ479(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown

voltage

V_(BR)DSS

–30

—

I_D= –10mA, V_GS= 0

Gate to source breakdown

voltage

V_(BR)GSS

I_DSS

±20

—

I_G= ±100µA, V_DS= 0

Zero gate voltege drain

current

—

–10

µA

V_DS= –30 V, V_GS= 0

Gate to source leak current

I_GSS

—

–1.0

—

±10

–2.0

—

µA

V_GS= ±16V, V_DS= 0

I_D= –1mA, V_DS= –10V

I_D= –15A, V_GS= –10V^Note3

I_D= –15A, V_GS= –4V^Note3

I_D= –15A, V_DS= –10V^Note3

V_DS= –10V

Gate to source cutoff voltage V_GS(off)

Static drain to source on state R_DS(on)

—

mΩ

resistance

R_DS(on)

Forward transfer admittance |y_fs|

Input capacitance

Output capacitance

Ciss

1700

950

260

—

Coss

—

V_GS= 0

Reverse transfer capacitance Crss

—

f = 1MHz

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

—

V_GS= –10V, I_D= –15A

R_L= 0.67Ω

290

170

130

–1.1

—

Turn-off delay time

Fall time

—

Body to drain diode forward

voltage

V_DF

—

I_F= –30A, V_GS= 0

Body to drain diode reverse

recovery time

t_rr

—

I_F= –30A, V_GS= 0

diF/ dt = 50A/µs

Note: 3. Pulse test

See characteristic curves of 2SJ471

1 234 5 6 7

下载PDF

与2SJ479(L)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ479(L)\|2SJ479(S)	ETC		获取价格
2SJ479(S)	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ479(S)	RENESAS	0.06ohm, POWER, FET, LDPAK-3	获取价格
2SJ479(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ479(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ479L	HITACHI	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching	获取价格