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2SJ426

更新时间： 2024-02-23 07:53:32

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三垦 - SANKEN		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
58页	737K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ426 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	35 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ426 数据手册

Sanken Electric Co., Ltd.

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✽North America

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115 Northeast Cutoff, Box 15036

Worcester, Massachusetts 01615, U.S.A.

PHONE: (508)853-5000

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✽Europe

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PHONE: 01932-253355

FAX: 01932-246622

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PRINTED in JAPAN

H1-T03EB0-0011010TA

1...55 56 5758

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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