2SJ356

更新时间： 2024-01-27 09:57:09

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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6页	70K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SJ356 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	其他特性：	ESD PROTECTED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ356 数据手册

2SJ356

SOURCE TO DRAIN DIODE

FORWARD VOLTAGE

CAPACITANCE vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

–10

–1

10 000

1 000

100

GS = 0

Pulsed

–0.1

Ciss

–0.01

–0.001

–0.0001

Coss

Crss

VGS = 0

f = 1 MHz

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–1.2

–1

–10

VDS - Drain to Source Voltage - V

–100

VSD - Source to Drain Voltage - V

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DIODE FORWARD CURRENT

SWITCHING CHARACTERISTICS

DD = –25 V

1 000

100

1 000

100

GS = 0

di/dt = 50 A/µs

GS(on) = –10 V

d(off)

d(on)

–1

- Drain Current - A

–10

–0.05 –0.1

–0.5

–1

–5

–10

- Diode Forward Current -A

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1 000

Single pulse

Using ceramic substrate of

7.5 cm²× 0.7 mm

100

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

100

1 2 345 6

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