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2SJ358-T2-AZ

更新时间: 2024-01-21 00:40:57
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
3000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, COMPACT, MP-2, 3 PIN

2SJ358-T2-AZ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.32
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ358-T2-AZ 数据手册

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