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2SJ359TP

更新时间: 2024-01-29 20:57:08
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SJ359TP 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ359TP 数据手册

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