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2SJ357-T2-AZ

更新时间: 2024-01-22 08:46:57
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 165K
描述
3000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, COMPACT, MP-2, 3 PIN

2SJ357-T2-AZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.35 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SJ357-T2-AZ 数据手册

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