2SJ356

更新时间： 2024-02-04 11:38:33

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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6页	70K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SJ356 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	其他特性：	ESD PROTECTED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ356 数据手册

2SJ356

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

TRANSFER CHARACTERISTICS

DS = –10 V

–5

–4

–3

–2

–1

–10

–1

Pulsed

T = 150 ˚C

–0.1

–0.01

–4.0 V

= –25 ˚C

= 0 ˚C

= 25 ˚C

–3.5 V

T = 75 ˚C

–0.001

–3.0 V

–2.5 V

–0.0001

–0.00001

VGS = –2.0 V

–1

–2

–3

–4

–5

–1

–2

–3

–4

VDS - Drain to Source Voltage - V

VGS - Gate to Source Voltage - V

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

1.5

DS = –10 V

GS = –4 V

Pulsed

= 150 ˚C

= 75 ˚C

T = –25 ˚C

TA = 0 ˚C

0.1

0.01

= 25 ˚C

= 75 ˚C

0.5

TA = 25 ˚C

= 150˚C

T = 0 ˚C

TA = –25 ˚C

0.001

–0.0001

–0.001

–0.01

–0.1

–1

–0.001

–0.01

–0.1

- Drain Current - A

–1

–10

- Drain Current - A

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

Pulsed

GS = –10 V

Pulsed

= 150 ˚C

ID = 2.0 A

= 75 ˚C

= 25 ˚C

I = 1.0 A

TA = 0 ˚C

= –25 ˚C

–1

–0.001

–0.01

–0.1

–10

–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18 –20

GS - Gate to Source Voltage - V

- Drain Current - A

1 234 5 6

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