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2SJ355-T2-AZ

更新时间： 2024-01-02 19:00:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	64K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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技术参数
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2SJ355-T2-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	POMM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ355-T2-AZ 数据手册

2SJ355

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain Cut-Off Current

SYMBOL

IDSS

TEST CONDITIONS

VDS = –30 V, VGS = 0

MIN.

TYP.

–1.5

MAX.

–10

UNIT

µA

Gate Leakage Current

Gate Cut-Off Voltage

IGSS

VGS = –16/+10 V, VDS = 0

VDS = –10 V, ID = –1 mA

VDS = –10 V, ID = –1.0 A

VGS = –4 V, ID = –1.0 A

VGS = –10 V, ID = –1.0 A

±10

VGS(off)

|yfs|

–1.0

1.0

–2.0

Forward Transfer Admittance

Drain to Source On-State Resistance

Input Capacitance

RDS(on)1

RDS(on)2

Ciss

0.50

0.26

300

245

120

5.5

0.60

0.35

Ω

VDS = –10 V, VGS = 0,

f = 1.0 MHz

Output Capacitance

Coss

Crss

Reverse Transfer Capacitance

Turn-On Delay Time

td(on)

VDD = –25 V, ID = –1.0 A

VGS(on) = –10 V

Rise Time

RG = 10 Ω, RL = 25 Ω

Turn-Off Delay Time

td(off)

110

130

12.2

1.2

Fall Time

Gate Input Charge

VDS = –24 V,

VGS = –10 V,

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

QGS

QGD

trr

ID = –1.8 A, IG = –2 mA

4.6

Internal Diode Reverse Recovery Time

Internal Diode Reverse Recovery Charge

IF = 2.0 A,

di/dt = 50 A/µs

Qrr

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

100

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

–10

–5

–2

–1

–0.5

–0.2

–0.1

Single pulse

–2

DS - Drain to Source Voltage - V

–0.05

100

125

150

–0.5 –1

–5 –10 –20

–50 –100

- Ambient Temperature - ˚C

123 4 5 6

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