2SJ244

更新时间： 2024-02-07 22:38:59

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
8页	47K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ244 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SJ244 数据手册

2SJ244

Reverse Recovery Time vs.

Reverse Drain Current

Switching Time vs. Drain Current

2000

1000

2000

1000

V_GS= - 4 V, V_DD= - 10 V

PW = 2 µs, Duty Cycle = 1 %

di/dt = 10 A/µs

PW = 10 µs

td(off)

500

200

100

200

100

td(on)

-10

-0.1

-0.2

-0.5

-1.0

-2

-5

-10

-0.1

-0.2

-1.0

-2

-5

-0.5

Drain Current

(A)

Reverse Drain Current

(A)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Dynamic Input Characteristics

1000

500

-25

-20

-15

-10

-5

-10

V_GS= 0

-5 V

= -4 A

f = 1 MHz

Pulse Test

V_DD= -10 V

Coss

-8

-6

200

100

Ciss

Crss

-4

-2

V_DD= -10 V

-5 V

-0.1 -0.2

-0.5

-1.0

-2

-5

(V)

-10

Drain to Source Voltage

Gate Charge Qg ( nc )

1 2 3 456 7 8

下载PDF

与2SJ244相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ244JY	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTL	RENESAS	2A, 12V, 0.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ244JYTL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ244JYTR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTR	RENESAS	2A, 12V, 0.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格