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2SJ245(S)

更新时间： 2024-02-28 18:43:27

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	205K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

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2SJ245(S) 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ245(S) 数据手册

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与2SJ245(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ245(S)TL	HITACHI	5A, 60V, 0.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ245(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ245L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ245S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ246	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ246(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-251AA	获取价格

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