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2SJ246(S)

更新时间： 2024-01-19 20:57:25

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	209K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-252AA

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2SJ246(S) 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SJ246(S) 数据手册

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与2SJ246(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ246(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ246(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ246L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ246S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ247	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ247	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格

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