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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ259 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ259FD | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263VAR |
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| 2SJ260 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ261 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ262 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ263 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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