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2SJ267

更新时间： 2024-02-01 03:32:15

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体开关晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
3页	87K
描述
Very High-Speed Switching Applications

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2SJ267 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ267 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ268	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ268FD	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ269	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ270	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ271	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ272	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格

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